fotoelectrónica
INDICE:
· 1. Construcción Atómica de la Materia.
· 2. Constitución de los Átomos
· 3. Aislantes, Semiconductores y Conductores
o 4.3. Teoría de los Portadores Mayoritarios y Minoritarios
o 5.3. Problemas de Aplicación
o 5.4. Curvas Características del Diodo de Unión
o 6.1. Fabricación de un Diodo Zener por Difusión
o 6.2. Fabricación de un Diodo Zener por Aleación
o 6.3. Cálculo de la Resistencia Limitadora de un Zener
o 7.1. Clasificación General de los Transistores
o 7.2. Funcionamiento de los Transistores Bipolares
o 7.3. Comportamiento de un Transistor NPN
o 7.4. Relación de los Parámetros Alfa y Beta
o 7.6. Montaje en Emisor Común
o 7.7. Montaje en Colector Común
o 8.1. Transistores de Efecto de Campo de Unión FET
o 8.2. Características Generales
o 8.3. Características del Drenador
o 8.5. Transistores de Efecto de Campo de Puerta Aislada MOST
o 8.6. MOST de Empobrecimiento o Agotamiento de Canal N
o 8.7. MOST de Enriquecimiento de Canal N
o 9.2. Características Físicas de las Cuatro Capas
o 9.4. Comportamiento en Estado de Bloqueo
o 9.5. Comportamiento en Estado de Conducción
o 9.6. Curva Característica de un Tiristor
o 9.7. Curva de Dispersión de los Elementos
o 9.8. El Tiristor de Doble Puerta
o 10.1. Comportamiento en Estado de Bloqueo
o 10.2. Comportamiento en Estado de Conducción
o 10.3. Entrada E2 positiva con Puerta Positiva G+
o 10.4. Entrada E2 positiva con Puerta Negativa G-
o 10.5. Entrada E2 Negativa con Puerta Positiva G+
o 10.6. Entrada E2 Negativa con Puerta Negativa G-
o 10.7. Curvas Características del Triac
o 10.8. Curvas de Dispersión de los Elementos
o 11.1. SUS “Conmutador Unilateral de Silicio”
o 11.2. SBS “Conmutador Bilateral de Silicio”
o 11.3. UJT “ Transistor Uniunión”
o 11.4. PUT “Transistor Uniunión Programable”
· 13. Microelectrónica y Procesos de Relación de la C.I.
o 13.1. Clasificación de la C.I. según su Construcción Interna
o 13.6. Proceso de Fabricación
· 14. Componentes Pasivos Integrados
o 14.4. Conexiones entre componentes Integrados
o 14.5. Clasificación de la C.I. según la Aplicación
o 14.6. Ventajas y Limitaciones
· 16. Semiconductores Integrados
o 16.1. Transistores Bipolares Integrados
o 16.2. Transistor NPN de capa Enterrada
o 16.3. Transistor PNP Lateral
o 16.4. Transistor PNP Compuestos
o 16.5. Transistor PNP Vertical
o 17.2. Diodos Schottky Integrados
o 17.3. Efectos Térmicos en la Tecnología Bipolar Integrada
· 18. Circuitos Integrados Bipolares VLSI
· 19. Proceso de Integración Isoplanar LOCOS
· 20. Proceso de Integración de Polisilicio Autoalineado
· 30. Familias ECLI, ECLII, ECLIII
· 33. Bloques Básicos de Circuitos Integrados Bipolares Analógicos
o 33.1. Amplificadores Diferenciales
o 33.2. Amplificadores Operacionales
· 35. Circuitos Integrados Unipolares o de Efecto de Campo
· 45. Tendencia en la Electrónica Física y Microelectrónica
· 47. Organización Cronológica de la Evolución de la Electrónica
